利用金刚石纳米粉引晶方法制备高硼掺杂金刚石薄膜

作者：杨传径; 陈庆东; 杜凯; 高春晓; 刘才龙

来源：河南科技大学学报(自然科学版), 2009, (03): 15-17+22+110.

DOI：10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2009.03.009

• 热丝CVD
• 纳米引晶
• 掺杂金刚石薄膜 Hot-filament CVD
• Seeding with the diamond powder
• B-doped diamond film

利用金刚石纳米粉引晶方法在SiO2衬底上合成了高硼掺杂金刚石薄膜,并利用范德堡法、扫描电镜、激光拉曼方法对不同掺杂量下生长的样品进行了表征。SEM和拉曼谱分析表明,少量掺杂时有利于提高金刚石薄膜的质量,但是随着掺杂量的增加,金刚石薄膜质量开始明显下降;并且拉曼谱峰在500cm-1和1200cm-1开始加强,呈现重掺杂金刚石薄膜的典型特征。其电导率随着温度升高而升高,表明导电性质为半导体导电。

• 单位
  超硬材料国家重点实验室; 吉林大学; 河南科技大学