n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

作者：石铭; 邵秀梅; 唐恒敬; 李淘; 黄星; 曹高奇; 王瑞; 李平; 李雪; 龚海梅

来源：红外与毫米波学报, 2016, 35(01): 47-51.

• InGaAs
• ICPCVD
• 暗电流
• n-on-p
• 钝化

采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2.

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室; 中国科学院大学