置氢TC4钛合金与Al_2O_3陶瓷扩散连接工艺研究

作者：王义峰; 曹健; 宋晓国; 郑祖金; 冯吉才

来源：稀有金属材料与工程, 2013, (03): 598-602.

• 置氢
• TC4钛合金
• Al2O3陶瓷
• 扩散连接
• 界面结构 hydrogenating
• TC4 titanium alloy
• Al2O3 ceramic
• diffusion bonding
• interfacial microstructure

采用直接扩散连接的方法实现了置氢TC4钛合金与Al2O3陶瓷的连接,利用光学显微镜、扫描电子显微镜、能谱分析以及X射线衍射等分析手段,确定了TC4/Al2O3扩散连接接头典型的界面结构为TC4/α-Ti/Ti3Al+Al2TiO5/Al2O3。研究了连接温度对TC4/Al2O3接头界面结构的影响规律,随着连接温度的升高各反应层厚度逐渐增加。基于反应动力学方程,计算了氢含量(质量分数)为0%、0.3%、0.4%时,Ti3Al+Al2TiO5层的反应激活能分别为213、172、152kJ/mol。当连接温度为840℃,连接时间为90min,氢含量为0.4%时,接头抗剪强度达到最大值为128MPa,...

• 单位
  先进焊接与连接国家重点实验室; 哈尔滨工业大学; 哈尔滨工业大学（威海）