在这项研究中,使用螺旋波等离子体通过直流反应磁控溅射法制备了氧化铜薄膜。在O2氛围中用Ar溅射纯铜靶,直流溅射功率在10～40W范围内,其它制造条件保持恒定。利用XRD和XPS研究了溅射功率对所制备薄膜的结构和化学状态的影响。使用AFM来确定薄膜表面形态与其结构之间的关系。通过霍尔效应测试测量了半导体的性能。通过改变直流磁控溅射的功率,可以将氧化铜膜从n型CuO渐变到p型Cu2O。
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