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摘要
基于TSMC 180 nm CMOS工艺，提出了一种振荡频率为2～3 GHz的宽频率范围、低相位噪声的单子带压控振荡器(VCO)。采用双平衡吉尔伯特混频结构，将单子带5～6 GHz压控振荡器与固定频率3 GHz压控振荡器进行下混频，可得到振荡频率为2～3 GHz的单子带压控振荡器，实现相对带宽从18.18%到40%的展宽。其中5～6 GHz单子带压控振荡器采用互补交叉耦合结构，更易达到起振条件，采用两组可变电容的并联形式以提高调谐曲线的线性度，拓宽压控振荡器的输出频率调谐范围。通过芯片测试验证，在1.8 V电源电压下，调谐电压变化范围为0.6～2.8 V时，实际输出频率范围为1.85～3 GHz,最大调谐灵敏度为1000 MHz/V,2 GHz频点处相位噪声为-123.2 dBc/Hz@1 MHz,芯片尺寸为1.2 mm×0.7 mm。
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单位电子工程学院; 西安邮电大学
