r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究

作者：彭观良; 周国清; 庄漪; 邹军; 王银珍; 李抒智; 杨卫桥; 周圣明; 徐军

来源：人工晶体学报, 2005, (04): 653-656.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.04.019

• 温梯法
• r面白宝石
• 位错
• 化学腐蚀
• 腐蚀坑
• 缺陷 temperature gradient technique (TGT)
• r-plane sapphire
• dislocation
• chemical etching
• etch pit
• defect

本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因。

• 单位
  中国科学院研究生院; 中国科学院上海光学精密机械研究所