低插损高频SAW滤波器的研究

作者：王巍; 周杨春^*; 王方; 谭纪伟; 滕洪菠; 李俊峰

来源：压电与声光, 2022, 44(02): 180-186.

DOI：10.11977/j.issn.1004-2474.2022.02.003

• 占空比
• 声表面波(SAW)滤波器
• 叉指换能器(IDT)型反射栅
• 电极厚度
• “T+π”型拓扑结构

采用单层膜、梯形结构基于128°YX-LiNbO3材料研究了Al电极厚度、叉指占空比、反射栅周期、拓扑结构对插损、带外抑制和矩形度的影响。为了降低带内波动和插入损耗，该文设计了一种叉指换能器(IDT)型反射栅结构，该结构对采取优化措施前后谐振器的带内最大尖峰损耗分别降低了8.84%和0.55%。最后采用此反射栅结构设计了一款低插损高频声表面波(SAW)滤波器，有限元仿真结果表明，该滤波器的中心频率为2.520 5 GHz,插入损耗为-0.502 12 dB,带外抑制大于30 dB,-3 dB损耗带宽大于98 MHz。

• 单位
  重庆邮电大学