碳保护下钼金属表面MoSi2涂层的可控制备及表征

作者:詹磊; 杨克明; 王军霞*; 魏玉峰; 杨世源; 张修路
来源:中国陶瓷, 2019, 55(08): 23-30.
DOI:10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2019.08.005

摘要

采用活性碳粉为气氛保护介质,以NaF为催化剂,通过改良包埋渗硅工艺在钼金属表面原位反应制备MoSi2抗氧化涂层。利用扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和X射线衍射仪(XRD)系统研究了热处理温度、热处理时间、催化剂含量和钼金属表面不同处理方式对涂层结构的影响,并分析了涂层制备机理。结果表明:采用碳保护下的改良包埋法在钼金属表面成功制备了MoSi2涂层,涂层结构致密,且与基体之间的结合性良好。随着热处理温度的升高,涂层厚度急剧线性增加,涂层结构致密性明显提高,在1200℃得到的涂层质量最佳;随着热处理时间的延长,涂层厚度不断增加,当超过120 min后,涂层的厚度变化趋于平缓;增大钼金属表面粗糙度有利于涂层生长,可增加涂层厚度,但改变NaF用量对涂层结构和厚度的影响较小。

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