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摘要
在传统场效应晶体管的基础上，针对SB-MOSFET对金属功函数敏感的问题，设计了势垒高度对SB-MOSFET性能影响的实验并加以验证。实验中通过调整金属功函数、金属费米能级与半导体钉扎位置，实现势垒高度的改变。通过器件模拟和电学特性仿真，验证了势垒高度对器件转移特性的影响，并通过能带和电子浓度仿真对实验结论展开分析。实验表明，势垒高度增大，正向导通电流变小，反向泄漏电流不变，在此结论基础上进一步探讨SB-MOSFET避免离子注入等问题，有助于提高界面态质量，为MOSFET研究和大规模器件开发提供了新思路。
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