10kV碳化硅混合MOS-IGBT器件的研究

作者：崔京京; 章剑锋

来源：集成电路应用, 2021, 38(04): 1-3.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2021.04.001

• 碳化硅
• MOSFET
• IGBT
• 沟槽
• MMIGBT

研究新型10kV电压等级的碳化硅场效应晶体管结构,具有碳化硅MOSFET的高频工作特性以及IGBT器件的大电流导通能力。在传统碳化硅MOSFET结构的基础上,在器件底部漏极区加入了间隔式的集电极区。在小电流情况下,电流从漏极区域流通,器件为单极型器件,拥有出色的高频性能。在大电流情况下,集电极区PN结导通,器件开启类IGBT器件的双极型模式,显著降低器件正向导通电阻。