正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应

作者：张兰芝; 王宝义; **妮; 魏龙; 林均品; 王文俊

来源：金属学报, 2007, (03): 269-272.

• 正电子湮没寿命
• 二维符合Doppler
• TiAl合金 positron annihilation lifetime
• coincidence Doppler broadening
• TiAl alloy

利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti_(51)Al_(49)合金中Nb的掺杂效应．结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加．

• 单位
  中国科学院高能物理研究所; 新金属材料国家重点实验室; 北京科技大学; 中国科学院研究生院