设计了两种具有不同参数的光刻掩膜版，利用光刻技术制备了两种微米级双层复合结构。研究了曝光能量对凹形缺口深度的影响，同时采用时域有限差分法分析了掩膜版曝光时的光场分布情况，阐明了微米级双层复合结构形成的物理机理。实验结果表明：通过调整曝光能量的大小，能够有效地控制凹形缺口的深度。对8 μm厚的AZ9260光刻胶来说，不高于160mJ/cm~2的曝光能量是制备出微米级双层复合结构的关键。该技术在制备微米尺寸的分层器件方面有着潜在的应用前景。
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