磁控溅射法制备HfO2薄膜及电阻转变特性研究(英文)

作者：李艳艳; 刘正堂; 谭婷婷

来源：稀有金属材料与工程, 2014, 43(01): 24-27.

• 磁控溅射法
• HfOx薄膜
• 电阻转变特性
• 双极性

采用磁控溅射法,以ITO/Glass为衬底,制备了具有电阻转变特性的HfO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)分析发现,薄膜中的Hf、O元素不成化学计量比,薄膜中可能存在大量氧空位。电学测试结果表明,HfO2薄膜表现出明显的双极电阻转变特性,并且表现出良好的可靠性(室温下可重复测试102次以上)和稳定的保持性能(0.5 V偏压下保持104 s以上),高低阻态比值达到104。基于XPS以及电学分析,薄膜的导电过程可用与氧空位相关的空间电荷限制电流模型解释。

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室