CaCl2-NaCl熔盐中槽电压对SiO2电还原影响机制研究

作者：张英杰; 周忠仁^*; 华一新; 董鹏

来源：有色金属(冶炼部分), 2020, (05): 39-43.

• 硅
• 槽电压
• 微观结构
• 熔盐电解

以SiO2为原料,采用熔盐电解法制备得到了纳米尺度的单质Si。研究了槽电压对SiO2电还原过程和单质Si微观结构的影响。在槽电压1.7～2.0V范围内,较高的槽电压有利于SiO2的电解还原,在1.8～2.0V槽电压下,SiO2能够被电解完全生成单质Si。当槽电压为1.8V时,电解产物Si的微观结构为40nm左右宽的纳米线;当槽电压为1.9V时,微观结构包括50nm左右宽纳米线和粒径100nm左右的纳米颗粒;当槽电压为2.0V时,微观结构为100～300nm的纳米颗粒堆积。

• 单位
  昆明理工大学