铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析

作者：黄添懋; 陈诺夫; 张兴旺; 白一鸣; 尹志岗; 施辉伟; 张汉; 汪宇; 王彦硕; 杨晓丽

来源：中国科学:技术科学 , 2010, (11): 1378-1382.

• 多晶硅薄膜
• 铝诱导结晶
• (111)择优取向

采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好结晶质量的多晶硅层.通过对Al2O3氧化膜结构变化及晶格匹配进行分析,阐明了铝诱导结晶过程中(111)择优取向的铝层间接促使多晶硅(111)择优取向成核的作用机制.

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 华北电力大学; 中国科学院半导体研究所; 浙江大学