无掩模Si圆柱纳米图形衬底上GaAs的异变外延生长

作者：李玉斌; 王俊; 王琦; 邓灿; 王一帆; 任晓敏

来源：半导体光电, 2014, 35(04): 625-662.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2014.04.015

• 纳米图形衬底
• MOCVD
• GaAs
• Si

采用金属有机化学气相沉积方法在无掩模的直径为400nm的圆柱Si(100)图形衬底上外延生长了GaAs薄膜。图形衬底采用纳米压印技术及反应离子刻蚀技术制作而成。运用两步法生长工艺在此图形衬底上制备了厚度为1.8μm的GaAs外延层。GaAs的晶体质量通过腐蚀坑密度和透射电镜表征。图形衬底上的GaAs外延层表面腐蚀坑密度约1×107 cm-2,比平面衬底上降低了两个数量级。透射电镜观测显示大部分产生于GaAs/Si异质界面的穿透位错被阻挡在圆柱顶部附近。

• 单位
  北京邮电大学; 信息光子学与光通信国家重点实验室