基底温度对射频磁控溅射PI基ITO薄膜的影响

作者：刘祖一; 徐文正; 杨旭; 汪邓兵; 丁正钰; 张海峰; 许召辉; 凤权^*

来源：微纳电子技术, 2023, 60(06): 965-970.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2023.06.019

• 射频(RF)磁控溅射
• 柔性材料
• 基底温度
• 氧化铟锡(ITO)薄膜
• 柔性导电

采用射频(RF)磁控溅射法在柔性耐高温聚酰亚胺(PI)薄膜上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜，研究了基底温度对ITO薄膜性能的影响。运用四探针测试仪研究了基底温度对ITO薄膜方块电阻及电阻率的影响，并用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)研究了基底温度对ITO薄膜表面形貌及结晶度的影响。采用X射线光电子能谱仪(XPS)、附着力测试仪分析电学性能最优的样品化学组成与附着力。研究结果表明，ITO薄膜方块电阻及电阻率随基底温度上升先下降后上升，在基底温度为250℃时，ITO薄膜方块电阻为14.1Ω/,电阻率为1.9×10-4Ω·cm,基膜附着力好，薄膜结晶度高，(222)晶面存在择优取向。

• 单位
  中航华东光电有限公司; 安徽工程大学