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摘要
研究掺铂工艺对有效控制少数载流子寿命、缩短PIN快恢复二极管反向恢复时间、节约贵金属用量、提升器件综合性能具有重要意义.为了得到最优掺铂工艺，以电子束蒸发镀膜为参考基准，对比以液态铂源旋涂工艺在硅外延片N+面制备不同表面浓度的铂扩散源，研究铂扩散温度T、扩散时间t、表面扩散源浓度对反向恢复时间Trr和正向压降UF的变化，并分析正向压降UF与反向恢复时间Trr的关系.结果表明，以300 r/min速率旋涂氯铂酸异丙醇溶液，能得到表面质量浓度为21.9%的铂扩散源，满足快恢复二极管掺铂工艺要求，相比于蒸发镀膜可节省约70%的铂；以920℃炉温铂扩散60 min,测得二极管的Trr≤50 ns,UF≤1.25 V,获得Trr、UF之间良好的折衷.
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单位航天学院; 莆田学院; 厦门大学
