底部真空负压浸渗工艺制备β-SiC_p/Al电子封装材料

作者：谢斌; 王晓刚; 华小虎; 易大伟

来源：铸造, 2013, (10): 953-957.

• 无压浸渗
• β-SiCp/Al复合材料
• 热膨胀系数
• 热导率 pressureless infiltration
• β-SiCP/Al composites
• coefficient of thermal expansion
• thermal conductivity

针对国内目前SiCp/Al在产业化中存在的诸多问题,选用W20和W60的β-SiC粉体,采用模压成型制备SiC预制体,并通过底部真空负压浸渗工艺制备了致密度为96%~98%、体积分数为55%~72%的β-SiC p/Al复合材料。XRD、SEM、CT和CTE测试分析表明:所制备的复合材料中存在MgAl2O4尖晶石相,没有发现Al4C3脆性相;复合材料组织均匀,存在少量浸渗缺陷,孔洞较少;SiC体积分数为72%的复合材料在常温热度下的热膨胀系数为6.91×10-6/K,热导率为164.8 W(/m·K),而SiC体积分数为65%的复合材料的热膨胀系数为7.31×10-6/K,热导率为172.7 ...

• 单位
  陕西西科博尔科技有限责任公司; 西安科技大学