基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法

作者：蒋道福; 宋建军; 苗渊浩; 胡辉勇; 宣荣喜; 张鹤鸣

来源：2016-06-28, 中国, ZL201610488045.7.

本发明涉及一种基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取单晶Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层；利用选择性刻蚀工艺刻蚀指定区域的栅介质层和栅极层形成栅极；在栅极表面形成牺牲保护层；利用刻蚀工艺对第二Ge层进行刻蚀在栅极位置处形成Ge台阶；在第二Ge层表面生长SiGe层；去除牺牲保护层以形成PMOS器件。本发明将直接带隙Ge材料作为PMOS器件的沟道,能显著提高空穴迁移率和器件驱动电流。而且,直接带隙Ge材料还可应用于光子器件有源层,因此,本发明提出的直接带隙Ge#PMOS还具备单片光电集成的优势。

• 单位
  西安电子科技大学