具有提高Q值退耦结构的MEMS谐振器研究

作者：鲍景富; 张超; 吴兆辉

来源：电子科技大学学报, 2018, 47(03): 397-401.

• AlN压电谐振器
• 退耦结构
• MEMS
• Q值

为了提高MEMS谐振器的品质因数(Q值),该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构。所设计的Al N压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态,其Q值可以达到4.3×104,对应的f·Q乘积为1.29×1012。谐振器频率与外框的机械谐振频率比值约10:1,减小了谐振器到基底的能量耦合,从而降低能量损耗并提高谐振器Q值。通过理论和有限元分析并对谐振器的频率响应进行建模,两种方法的模型结果一致,说明了具有能量退耦外框的谐振器能降低锚点造成的能量损耗,从而有效地提高横向振动模态Al N压电谐振器的Q值。

• 单位
  电子科技大学; 电子工程学院