RIE反应离子刻蚀氮化硅工艺的研究

作者：关一浩; 雷程; 梁庭; 白悦杭; 齐蕾; 武学占

来源：电子测量技术, 2021, 44(07): 107-112.

DOI：10.19651/j.cnki.emt.2105874

• 氮化硅
• 多晶硅
• 反应离子刻蚀
• 刻蚀速率
• 非均匀性

氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共聚焦显微镜表征刻蚀形貌、速率及刻蚀均匀性。实验表明,在SF6流量为50 sccm, O2流量为10 sccm,腔室压强为11 Pa,射频功率为250 W的条件下,氮化硅刻蚀速率达到509 nm/min,非均匀性可达2.4%;在同样条件下,多晶硅的刻蚀速率达到94.5 nm/min,选择比为5.39∶1。

• 单位
  中北大学; 北方自动控制技术研究所