Pt掺杂MoSe₂吸附CF₃I分解组分的第一性原理研究

作者：王成江; 武俊红; 项思雅; 王海涛; 王凌威; 万思宇

来源：原子与分子物理学报, 2023, 40(06): 25-34.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2023.061003

• 第一性原理
• Pt掺杂MoSe2
• CF3I分解组分
• 吸附性能

CF3I作为SF6最具潜力的新型环保绝缘气体，在电气设备出现局部放电、过热等缺陷故障时，会产生C2F6和C2F4等强温室气体，为确保电力设备稳定运行，有必要对CF3I典型分解组分吸附去除.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，通过吸附能、吸附距离、电荷转移和态密度等吸附指标，分别探究了不同数量Pt掺杂MoSe2对C2F6和C2F4气体分子的吸附性能.研究结果表明：不同数量Pt掺杂在MoSe2表面均存在稳定的掺杂结构，且相较本征MoSe2,Pt掺杂后的MoSe2导电性均得到了有效增强；Pt掺杂MoSe2对CF3I分解组分的吸附效果：Pt2-MoSe2>Pt-MoSe2>Pt3-MoSe2>Pt4-MoSe2,且Pt2-MoSe2对C2F4表现出强烈的化学吸附作用，而对C2F6为弱物理吸附；Pt2-MoSe2对CF3I分解组分具有选择吸附性，有望用作CF3I典型分解组分C2F4的吸附去除材料.

• 单位
  三峡大学