烫伤创面再上皮化过程中表皮角质形成细胞增殖分化相关基因差异性表达研究

作者：章雄; 刘琰; 张志; 许伟石

来源：感染.炎症.修复, 2005, 6(3): 135-137.

DOI：10.3969/j.issn.1672-8521.2005.03.002

• 基因芯片
• 再上皮化
• 表皮角质形成细胞
• 增殖
• 分化

目的:利用基因芯片技术检测创面再上皮化过程中表皮角质形成细胞(Kerationocytes,KCs)增殖分化相关基因的表达.方法:SD大鼠24只,随机平均分成四组,水浴法造成背部45cm2深Ⅱ度烫伤,按照基因表达检测时间随机分为4组,每组6只.伤后3、10、14d取创缘1cm皮肤标本;创面完成再上皮化日,取创面中心皮肤标本,制备KCs悬液,另取6只SD大鼠背部皮肤作为正常对照组.检测再上皮化不同阶段KCs增殖分化相关基因的差异性表达.结果:再上皮化过程中cyclin-dependent kinase 2 (Cdk2) β,cell division cycle 42 homolog (Cdc42),transcriptional regulator protein (Hcngp),cyclin B (Ccnbl)等增殖相关基因上调,bromodomain containing 4 (Brd4),mitogen activated protein kinase 3 (Mapk3),mitogen activated protein kinase 8 interacting protein (Mapk8ip)等增殖相关基因下调;完成再上皮化时,增殖、分化相关上调基因中出现protein kinase C, delta (Prkcd)、Caspase3 (Casp3)等.结论:KCs在烫伤后活化,MAPK信号转导通路激活,Cdk2β、Cdc42、Hcngp、Ccnb1等增殖促进因子基因表达上调,使细胞开始增殖;再上皮化过程中,既有增殖相关基因上调,又有下调;完成再上皮化时,Prkcd、Casp3等基因表达上调,调节KCs的增殖和分化.

• 单位
  瑞金医院