柠檬酸钾对铜、钴和TEOS去除速率及选择性的影响

作者：刘佳; 潘**^*; 刘玉岭; 王辰伟; 胡连军; 李灿

来源：应用化工, 2021, 50(09): 2372-2381.

DOI：10.16581/j.cnki.issn1671-3206.2021.09.009

• 化学机械抛光
• 铜
• 钴
• TEOS
• 去除速率
• 柠檬酸钾

针对钴阻挡层化学机械抛光(CMP)中,Cu、Co、TEOS等多种异质材料去除速率选择性差,采用络合剂柠檬酸钾配制多层铜布线钴阻挡层抛光液,研究了柠檬酸钾含量对Cu、Co、TEOS去除速率及选择性的影响,并在钴阻挡层图形片上进行了平坦化验证。结果表明,柠檬酸钾能够有效地提高Cu、Co、TEOS三者的去除速率,当磨料为5%(质量分数),H2O2为5 m L/L,TT-LTK为0.5 m L/L,柠檬酸钾为30 mmol/L,p H=10时,铜、钴、TEOS的去除速率分别达到216,530,493 ?/min。此时,Co与Cu和TEOS与Cu的去除速率选择比较高,可达VCu∶VCo∶VTEOS≈1∶2.45∶2.28,碟形坑和蚀坑的深度得到有效降低,铜钴晶圆表面粗糙度得到明显改善。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院