高比容少层MXene Ti3C2的制备及其超级电容性能

作者：**浩; 吴琼^*; 李鹏飞; 杨占鑫; 张洪涛

来源：材料研究学报, 2022, 36(03): 183-190.

• 无机非金属材料
• 少层Ti3C2
• 微波辅助刻蚀
• 比容量

采用微波辅助选择性刻蚀技术制备了原子层间距为1.28 nm的少层Ti3C2，其质量比电容为377.64 F/g，比多层Ti3C2提高了154.27%。对两种Ti3C2电化学储能过程的动力学分析结果表明，少层Ti3C2的电荷存储主要是表面电容的贡献，其贡献率为76.28%。

• 单位
  辽宁工业大学