密度泛函方法研究NbSi_n(n=1～6)团簇

作者：赵普举; 侯榆青; **; 陈浩伟; 任兆玉

来源：西北大学学报（自然科学版）, 2005, (03): 277-282.

DOI：10.16152/j.cnki.xdxbzr.2005.03.013

• 团簇
• Mulliken布居
• 自然布居
• 分裂能 cluster
• mulliken population
• nature population
• fragmentation energy

目的研究NbSin(n=1~6)团簇的几何构型及电子结构。方法采用密度泛函理论(DFT),在UB3LYP/LanL2DZ水平下用Gauss98程序对各构型进行几何优化和频率分析,同时考虑了电子的多重度。结果得到了一系列稳定的NbSin(n=1~6)团簇构型,并计算出了其键长(Nb-Si和Si-Si)、总能量、电子布居和分裂能。结论NbSin(n=1~6)团簇的立体结构比平面结构和直线结构更稳定;每一个n(n=1~6)值所对应最稳定结构中,Nb原子的电子Mulliken净布局和自然布局在Si原子数目小于3时为正值,其余为负值。

• 单位
  光子技术研究所