新型低噪声电荷灵敏前置放大器设计

作者：熊思; 高超嵩; 黄光明; 孙向明

来源：核电子学与探测技术, 2020, 40(02): 353-358.

DOI：10.3969/j.issn.0258-0934.2020.02.029

• 电荷灵敏前置放大器
• 低噪声
• Topmetal-S
• 等效电荷噪声

为满足Topmetal-S芯片研制需求,设计了一种低噪声电荷灵敏前置放大器。该电荷灵敏前置放大器在0.35 μm商业标准工艺上完成设计,采用单端折叠共源共栅结构,其等效输入电荷噪声约为56.47 e,电荷转换增益为223.40 mV/fC,上升时间为633.30 ns;开环增益为75.07 dB,线性度在3.70%以内的输入电荷范围为0～6.50 fC。

• 单位
  华中师范大学