从辐射技术对半导体纳米材料的合成与改性的角度出发，重点阐述了其在金属氧（硫、硒）化物、贵金属沉积、空位缺陷半导体纳米材料的合成与改性研究现状。通过调节溶解氧、pH、稳定剂、络合剂及吸收剂量和剂量率等条件，可以实现对半导体纳米材料形貌、尺寸、单分散性及表面性质的调控。
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