硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响

作者：吕江维; 冯玉杰; 彭鸿雁; 陈玉强

来源：无机材料学报, 2009, (03): 607-611.

• 金刚石
• 直流热阴极
• 化学气相沉积
• 硼掺杂 diamond
• hot cathode DC
• chemical vapor deposition(CVD)
• boron doping

采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Ram an和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电.掺硼后辉光等离子体活性基团(Hα、Hβ、C2、CH)的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg.cm-2.h-1.硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以(111)晶面为主,质量较未掺杂薄膜有所提高.硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格,没有破坏金刚石晶体结构.

• 单位
  哈尔滨工业大学; 牡丹江师范学院; 城市水资源与水环境国家重点实验室