摘要
本发明涉及一种具有可变角度的场限环终端结构及其制备方法,该场限环终端结构包括:半导体层(101);多个场限环结构(102),间隔分布在所述半导体层(101)的表面区域中,所述场限环结构(102)的第一边缘(103)与所述场限环结构(102)的第一顶部表面(104)之间形成预设夹角,所述预设夹角为30~60°;有源区(105),位于所述半导体层(101)表面区域中且位于多个所述场限环结构(102)形成的环形内部,所述有源区(105)的第二边缘(106)与所述有源区(105)的第二顶部表面(107)之间形成所述预设夹角。该场限环终端结构中场限环结构和有源区的边缘均具备一定倾角,不仅有效的提高了器件的击穿电压,同时提高了器件的反向耐压稳定性。
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