摘要

硅化镁(Mg2Si)是一种窄带隙n-型半导体,具有高的电导率和低的热导率且无毒无污染、耐腐蚀,是很有潜力的环境友好型中温域热电材料。实验用高纯镁(Mg)粉和硅(Si)粉,系统研究了放电等离子烧结制备Mg2Si热电材料的工艺过程。测试了样品的密度。用X射线衍射、场发射扫描电镜表征了样品的相组成和显微结构。结果表明:Mg,Si完全固相反应的温度为823K,适度过量的Mg含量对纯相Mg2Si的获得非常重要。823K,250MPa,30min条件下制备样品的相对密度达到97%,但样品表面容易产生裂纹。经823K,6MPa,10min完全反应的Mg2Si在1023K,20MPa,10min条件下进行二次...

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