近红外区高透射率In_2O_3:W透明导电氧化物薄膜的研究

作者：冯佳涵; 杨铭; 李桂锋; 张群

来源：真空, 2008, (01): 27-30.

• 近红外
• 高透射率
• 掺钨氧化铟
• 薄膜

采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)透明导电氧化物薄膜。薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态差。与相同电阻率的ITO(In2O3:Sn)相比,IWO薄膜具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点。研究了氧分压、溅射电流等参数对IWO薄膜电学和光学性能的影响。制备的多晶IWO薄膜最佳电阻率为3.1×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为58 cm2 V-1 s-1,可见光范围平均透射率大于90%,近红外区(700～2500 nm)平均透射率约为85%。

• 单位
  复旦大学