10kV高压SiC GTO模块的研制

作者：李现兵; 杨同同; 姚鹏; 钟期雨; 岳瑞峰; 王燕; 韩荣刚; 王亮

来源：中国电机工程学报, 2023, 43(16): 6368-6375.

DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.220962

• SiC
• 10kV
• SiC门极可关断晶闸管模块
• 开关时间
• 极限通流

文中提出一款基于自主设计的尺寸为8mm×8mm的10kV碳化硅(silicon carbide, SiC)门极可关断晶闸管(gate-turn-off thyristor,GTO)单芯片封装的焊接式模块。详细介绍10kV SiC GTO模块的设计与制造工艺，通过对比裸芯片与封装后模块在10.5kV阻断电压下的漏电流，验证模块绝缘设计冗余和封装工艺，对模块的动态、静态、极限过流能力、关断增益等性能进行测试并给出初步测试结果。

• 单位
  国网智能电网研究院; 清华大学