晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究

作者：罗翀; 李娟; 李鹤; 孟志国; 熊绍珍; 郭海成; 张志林

来源：光电子技术, 2010, (03): 172-178.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2010.03.006

• 氢钝化处理
• 多晶硅薄膜
• 机制 hydrogen plasma treatment
• poly-Si thin film
• mechanism

以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数...

• 单位
  南开大学; 香港科技大学; 上海大学