一种高噪声抗扰度电容式电平位移电路

作者：秦尧; 明鑫^*; 尤勇; 林治屹; 庄春旺; 王卓; 张波

来源：微电子学, 2022, 52(05): 740-745.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220328

• GaN半桥栅驱动
• 电容式电平位移电路
• 高噪声抗扰度
• 高负压容忍度

设计了一种适用于GaN半桥栅驱动的高噪声抗扰度的电容式电平位移电路。在浮动电源轨发生dV/dt切换和减幅振荡时，采用去耦开关完全消除了影响输出状态的共模噪声，采用动态开关减小了电路失配引起的差模噪声。利用电容耦合技术实现了高负压容忍度、亚纳秒级延时和低功耗。采用0.18μm高压BCD工艺进行电路设计。仿真结果表明，在50 V电平转换下，该电平位移电路的共模瞬态抗扰度达到200 V/ns, 200 V/ns转换速率下的失配容忍度达到30%,负压容忍度达到-5 V,平均传输延时为0.56 ns。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学