InP基HBT小信号模型参数直接提取方法

作者：徐坤; 张金灿^*; 王金婵; 刘敏; 刘博

来源：半导体技术, 2020, 45(08): 602-644.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.08.005

• 异质结双极型晶体管(HBT)
• 小信号等效电路
• 直接提取
• 剥离算法
• InP

为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄生电容和电感的值,然后用截止状态和Z参数的方法提取外部电阻,再去掉这些参数以简化电路模型,本征部分的电路元件采用剥离算法来确定参数值。采用1μm×15μm的InP HBT对该算法的有效性进行验证,结果表明,在0.1～40 GHz频率范围内,模型仿真结果准确地拟合了器件测试结果。

• 单位
  河南科技大学