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摘要
作为第三代半导体材料,GaN具有独特的半导体特性,例如大的直接带隙能,高的饱和漂移速度,大的导带不连续性,良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应。由于其优良的物理和化学性质,被广泛应用于高频高功率电子器件及光电发光器件等领域。国内外的研究报道表明,从AlGaN/GaN异质结器件诞生以来伴随的界面缺陷、陷阱电荷以及较大的栅泄漏电流等问题严重制约了这种器件的应用。而GaN基MOS结构器件,不仅克服了传统GaN HEMT器件栅泄漏电流过大的缺点,且具有更低的功耗,因而成为目前研究的热点,受到越来越多的关注,目前对该器件的研究正处于起步阶段。然而,GaN工艺的不成熟,衬底p型掺杂困难,栅介质层界面态...
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