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摘要
本发明公开了一种基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器,包括顺次相连的发射支路功率放大器、集总式功分器和接收支路功率放大器,该三个电路均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上；所述发射支路功率放大器从发射端口开始包括顺次连接的第一输入匹配电路、第一稳定电路、第一氮化镓晶体管和第一输出匹配电路,所述第一输出匹配电路的输出端与集总式功分器的第一功分端口J-1相连；所述集总式功分器的合成端口即为天线端口,接收支路功率放大器的结构与发射支路功率放大器相同,以集总式功分器的第二功分端口J-1为输入端,接收支路功率放大器的输出端为该有源准环形器的接收端口。本发明有效地减小了电路面积,且具有较大的功率容量,应用前景广阔。
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