采用溶胶-凝胶法在Si(001)基片上制备了CoFe2O4(CFO)薄膜,对样品进行不同温度的快速退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)对薄膜进行微结构与磁性能分析。结果表明,薄膜退火温度在450℃及以上时生成无择尤取向的单一尖晶石相。随着退火温度上升,薄膜的晶化程度增高,Ms增大。650℃左右退火薄膜晶粒达到单畴临界尺寸,导致Hc随着退火温度的继续上升而逐渐下降。EDS分析表明,成膜后的化学计量比偏移很小。