内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善

作者：聂国政; 邹代峰; 钟春良; 许英

来源：Acta Physica Sinica, 2015, 64(22): 430-436.

• 有机薄膜晶体管
• CuO
• 电子转移
• 接触电阻

制备了基于内嵌氧化物铜(CuO)薄膜的并五苯薄膜晶体管器件.将3 nm CuO薄膜内嵌入到并五苯(pentacene)中,作为空穴注入层,降低电极与并五苯之间的空穴注入势垒.相对于纯并五苯薄膜晶体管器件,研制的晶体管的迁移率、阈值电压(VTH)、电流开关比(Ion/Ioff)等参数都有明显改善.X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯向CuO的电子转移.

• 单位
  湖南工业大学; 华南理工大学; 湖南科技大学