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摘要
本发明公开了一种用于透射电镜原位通电芯片的拥有纳米级间距小电极的材料测试单元制备方法,其材料测试单元由小尺寸的金属层、绝缘层、测试材料和保护层构成,制备方法采用聚焦离子束(FIB)技术,通过刻蚀在SiO2衬底上的金属层,得到纳米尺度的金属电极槽,将测试材料填充进金属电极槽,覆盖保护层后,采用FIB制备TEM样品的方法,将包含金属层和测试材料的单元提取出来,转移到通电芯片上,形成了拥有纳米量级间距小电极的材料测试单元,将该单元在TEM中进行原位通电,可用于研究测试材料的微观结构变化与电学性能间的关系。
- 单位
