本发明公开了一种使用强极化势垒材料的低栅漏电GaN Fin-HEMT器件及其制备方法,本发明在栅下均保留钝化层结构,在顶栅下方对钝化层进行减薄处理,采用热氧化的方式进行氧化层的生成,通过采用TMAH溶液湿法处理的方式,可以使侧壁变得陡峭,保证了器件的栅控能力,跨导不会有明显变化,进一步减少栅漏电,提升器件可靠性,同时,降低了电子隧穿至后续生长的氧化层的概率,减弱电子在界面的散射,从而提高沟道电子迁移率,提高器件直流特性。
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