带有TSV的硅基大功率LED封装技术研究

作者：师帅; 吕植成; 汪学方; 王飞; 袁娇娇; 方靖

来源：半导体光电, 2013, 34(04): 621-625.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2013.04.020

• 大功率LED
• TSV
• 散热
• 封装
• 有限元法

介绍了一种带有凹槽和硅通孔(through silicon via,TSV)的硅基制备以及晶圆级白光LED的封装方法。针对硅基大功率LED的封装结构建立了热传导模型,并通过有限元软件模拟分析了这种封装形式的散热效果。模拟结果显示,硅基封装满足LED芯片p-n结的温度要求。实验结合半导体制造工艺,在硅基板上完成了凹槽和通孔的制造,实现了LED芯片的有效封装。热阻测试仪测得硅基的热阻为1.068K/W。实验结果证明,这种方法有效实现了低热阻、低成本、高密度的LED芯片封装,是大功率LED封装发展的重要方向。

• 单位
  光学与电子信息学院; 华中科技大学; 武汉光电国家实验室