一种新型汞离子选择薄膜传感器

作者：门洪; 邹绍芳; Andrey Legin; 王平

来源：分析化学, 2005, 22(3): 428-431.

DOI：10.3321/j.issn:0253-3820.2005.03.033

• 薄膜传感器
• 光寻址电位传感器
• 脉冲激光沉积
• 汞离子敏感

采用脉冲激光沉积技术,在光寻址电位传感器表面上沉积了对二价汞离子敏感的薄膜,制备了一种新型汞离子选择薄膜传感器,靶材成分为Hg-Ag-I-S,基底为p型单晶硅片,金属接触层为Cr/Au.该薄膜传感器在3星期内显示了良好的重复性和稳定性;检出限为 3×10-6 mol/L;响应时间小于2 min, 适用pH范围小于2.对干扰离子和迟滞效应等也进行了研究.该传感器具有测量快速灵活、所需样品少、动态范围宽等特点,因为把电位信号转化为对光激发的交流电流信号进行测量,所以提高了灵敏度.同时也证明了脉冲激光沉积是适合制备薄膜传感器的一种新技术.

• 单位
  浙江大学; 生物传感器国家专业实验室; 生物医学工程教育部重点实验室; 生物医学工程与仪器科学学院