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摘要
本发明公开了一种室温高灵敏SOS衬底器件太赫兹直接检测系统,该系统包括：太赫兹源、一组(2个)抛物面反射镜、TTL控制信号线、硅基SOS衬底太赫兹检测器、直流偏置电压源、低噪声放大器及锁相放大器。在室温条件下,用直接检测的方法,对硅基SOS衬底太赫兹检测器进行了太赫兹信号检测。对310 GHz的接收信号,偏置电流5mA,测量系统的电压响应率约为3375V/W,斩波频率为1 kHz以上时,系统的噪声电压为6 nV/ Hz1/2,测量系统的NEP约为1.8×10-12 W/Hz1/2。对648 GHz的接收信号,偏置电流5mA,测量系统的电压响应率约为1175 V/W,斩波频率为1 kHz以上时,系统的噪声电压为6 nV/ Hz1/2测量系统的NEP约为5.2×10-12 W/Hz1/2。本发明具有频带宽和灵敏度高的特点,在太赫兹功率探测和太赫兹成像方面具有广泛的应用价值。
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