SiC增强Al基复合材料的制备和性能

作者:刘玫潭; 凌嘉辉; 刘家成; 洪晓松; 李国强
来源:半导体光电, 2014, 35(03): 440-445.
DOI:10.16818/j.issn1001-5868.2014.03.015

摘要

采用模压成型和真空压力浸渗工艺制备了高体积分数SiC增强Al基复合材料(AlSiC)。物相和显微结构研究结果表明,此种方法制备的AlSiC复合材料,组织致密且大小两种粒径的SiC颗粒均匀分布于Al基质中,界面结合强度高;SiC增强颗粒与Al基质界面反应控制良好,未出现Al4C3脆性相。对Al4C3相形成机理进行了分析,指出6061铝合金中的Si元素和真空压力浸渗工艺条件有利于防止脆性相Al4C3的形成。热性能测试结果表明,随温度升高,复合材料热膨胀系数先增大后减小,315℃附近出现最大值。所获得复合材料的平均热膨胀系数为7.00×10-6℃-1,热导率为155.1W/mK,密度为3.1g/cm3,完全满足高性能电子封装材料的要求。

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