摘要
目的了解我国分离的VGⅠ及VGⅡ型格特隐球菌在体外的生长特性及对蜡螟的毒力差异。方法在对我国分离的8株格特隐球菌多位点序列分型的基础上, 通过体外培养法绘制生长曲线、观察黑色素生成并测量荚膜厚度。利用蜡螟感染试验检测格特隐球菌的半数致死时间(LT50)和在48 h的半数致死浓度(LC50)。同时采用14株新型隐球菌作为对比研究。结果 8株格特隐球菌中有6株VGⅠ型, 2株VGⅡ型。30℃培养, VGⅠ及VGⅡ型格特隐球菌与新型隐球菌的生长曲线基本一致, 它们在96 h各自生长的总菌数均可达108 CFU/ml;37℃培养, 它们在所有测试时间点的总菌数均不及30℃培养。新型隐球菌在30℃和37℃培养黑色素产生量无差异, 但格特隐球菌VGⅠ型和VGⅡ型均显示37℃培养产生的黑色素量多于30℃。格特隐球菌VGⅠ型在37℃的荚膜-细胞壁直径比值大于30℃, 差异具有统计学意义(P<0.001)。蜡螟体内毒力试验显示, 新型隐球菌、格特隐球菌VGⅠ型和VGⅡ型的LT50长短排序为:格特隐球菌VGⅡ型<格特隐球菌VGⅠ型<新型隐球菌。1×106 CFU/ml浓度下, 格特隐球菌VGⅡ型的LT50为72 h。48 h只有格特隐球菌VGⅡ型对蜡螟致死数过半, LC50为1×108 CFU/ml。结论新型隐球菌、格特隐球菌VGⅠ型和VGⅡ型均在30℃培养条件下较37℃繁殖更快, 但格特隐球菌在37℃时产生的黑色素量以及形成荚膜的厚度均大于30℃培养时。VGⅡ型格特隐球菌对蜡螟的半数致死时间最短, 毒力最强。
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单位解放军总医院