等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究

作者：汪明刚; 刘杰; 杨威风; 李超波; 夏洋

来源：核聚变与等离子体物理, 2010, 30(04): 370-373.

DOI：10.16568/j.0254-6086.2010.04.006

• 等离子体浸没注入
• 超浅结
• 感性耦合等离子体

基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。

• 单位
  中国科学院微电子研究所