n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究

作者：田爱华; 赵彤; 潘宏菽; 陈昊; 李亮; 霍玉柱

来源：半导体技术, 2007, (10): 867-870.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2007.10.009

• 4H-SiC
• 同质外延
• 欧姆接触
• 比接触电阻
• 接触的高温稳定性 4H-SiC
• homoepitaxial
• ohmic contact
• specific contact resistivity
• thermal stability

介绍了n+-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n+-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86°的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得。对于n+-SiC/Ti/Pt接触系统,通过合金实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到最小的比接触电阻为2.59×10-6Ω.cm2,满足器件性能,为各种SiC器件的实现奠定了基础。同时,该接触系统还具有很好的高温稳定性,在100 h的400℃高温存储实验后,其比接触电阻基本稳定。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所